Az i3-8121u mag elemzése mikroszkóp alatt feltárja a 10 nm-es tri titkait

Az Intel új, 10 nm-es Tri-Gate gyártási folyamata a vártnál jobban ellenáll, mivel már több mint két évvel elmarad az ütemtervtől az eredetileg tervezett bevezetésnél. A kutatók kibelezték az ezzel a módszerrel gyártott Core i3-8121U-t, hogy megpróbálják tisztázni annak néhány kulcsát.

Az Intel 10 nm-es Tri-Gate gyártási folyamata nagyon ambiciózus

A Core i3-8121U processzor mikroszkóp alatt végzett elemzése kimutatta, hogy az Intel 10 nm- es Tri-Gate gyártási folyamata 2, 7-szeresére növeli a tranzisztor sűrűségét a jelenlegi folyamathoz képest. nm-es Tri-Gate. Ez a nagy előrelépés lehetővé tette, hogy négyzet milliméternél kevesebb, mint 100, 8 millió tranzisztor legyen integrálva, ami 12, 8 milliárd tranzisztor mennyiségét eredményezi , mindössze 127 mm² mátrixban.

Javasoljuk, hogy olvassa el a Sony PlayStation Hits, a legjobb PS4 játékok 19.99 euróért fizetett üzenetét

Ez a csomópont 10 nm-en a harmadik generációs FinFET technológiát használja, amelyet a minimális kapu hangmagasságának csökkentése 70 nm-ről 54 nm-re és a minimális fém hangmagasság 52 nm-ről 36 nm-re csökkentése jellemzi. Ezzel a 10 nm-rel az Intel bevezeti a kobalt-metalizációt a szilícium szubsztrát hordozó- és horgonyrétegeiben. A kobalt jó alternatívája a volfrámnak és a réznek, mint a rétegek közötti érintkező anyagnak, mivel kisebb méretekben alacsonyabb az ellenállása.

Ez az Intel legambiciózusabb gyártási folyamata, és ez lenne a vállalkozást okozó összes probléma fő oka, bár az ilyen törekvéseknek nem lesz sok hasznuk, ha nem érik el a megfelelő érettségi szintet. Remélhetőleg az Intel képes lesz finomítani azt, hogy a legjobb processzorokat kínálja nekünk.

Techpowerup betűtípus