A Samsung új ssd v meghajtókat indít el

A Samsung bejelentette, hogy új, 250 GB-os SSD-k gyártását kezdte meg a hatodik generációs V-NAND memóriamoduljaival, új optimalizált kialakítást kínálva, nagyobb teljesítmény és alacsonyabb fogyasztás mellett.

A Samsung új V-NAND SSD-ket mutat be

Noha a 250 GB-os SATA SSD nem olyan lenyűgöző a mai szabványok szerint, a Samsung hatodik generációs V-NAND megnyitja az ajtót a jövőbeni új Samsung SSD-k számára, amelyek késleltetési ideje kevesebb, mint 450 mikrosekundum és leolvasása kevesebb, mint 45 mikrosekundum. Ez a várakozási idő 10% -os csökkenését jelenti, ami növeli a reakcióképességet és a teljesítményt. Ezen felül az energiafogyasztás 15% -kal csökken.

A vállalat új 136 rétegű V-NAND-jával a Samsung 40% -kal több cellát kínál, mint korábbi 96 rétegű kivitelénél, így nagyobb egységenkénti tárolókapacitás mátrixonként.

Látogassa meg a legjobb SSD-k útmutatóját a piacon

A 256 Gb-os chipek összehasonlításakor a Samsung új NAND-jához sokkal kevesebb csatornafurat igényel, mint korábban, 930 millióról 670 millióra csökkentve, ezáltal csökkentve a mátrix méretét és a gyártás bonyolultságát. A Samsung szerint ez lehetővé teszi a gyártás termelékenységének 20% -os növekedését. A mátrixonkénti termelékenység növekedése lehetővé teszi a Samsung számára, hogy csökkentse termelési költségeit, ami nagyszerű hír a vállalat számára, tekintettel a NAND árak csökkenésére.

Idén később a Samsung a hatodik generációs technológiájának felhasználásával nagyobb 512 Gb-os V-NAND TLC-t tervez, amely lehetővé teszi nagyobb SSD-k és nagyobb teljesítményű szilárdtest-tároló eszközök létrehozását.

Overclock3d betűtípus