A Sk hynix bemutatja 72 rétegű 3D nand memória chipeit
Tartalomjegyzék:
Az SK Hynix ma bemutatta a piacon az első 3D NAND memória chipet, amely legalább 72 rétegből áll, ezek a chipek a TLC technológián alapulnak, 256 Gibagit tárolási sűrűséggel rendelkeznek, 1, 5-szer nagyobb, mint a korábbi 48 rétegű 3D chipek..
Az SK Hynix újabb lépést tesz a 3D NAND memóriában
Ez a bejelentés megerősíti az SK Hynix vezetőségét a 3D NAND memória gyártásában. A gyártó már 2016 áprilisában elindította 32 rétegű chipeit, ugyanazon év novemberében 48 képességű chipet követett, és végül ugrást tett a a 72 réteg. Ez a tömegtermelés során 1, 5-szer javíthatja a termelékenységet, és 20% -kal javíthatja a memória olvasási és írási műveleteinek sebességét egy még gyorsabb SSD-k generációja esetén.
Az SSD-k ára 38% -kal emelkedik 2018-ig
A megnövekedett sebesség mellett az új SK Hynix 72 rétegű 3D NAND memória 30% -kal nagyobb energiahatékonyságot kínál, mint 48 rétegű elődei, ami fontos lépés az új generációs SSD-k energiafogyasztásának csökkentésében.. A gyártó arra számít, hogy a 3D NAND memória iránti kereslet a közeljövőben jelentősen növekedni fog, mivel a nagy adatközpontok és a felhőtárolások mellett a mesterséges intelligencia terén is nagy lendület van.
Forrás: techpowerup
A Sk hynix megkezdi 72 rétegű 3D-nand tömegtermelését
Az SK Hynixnek sikerült megnyernie a csatát, és 72 rétegű 3D NAND memória gyártási teljesítménye drámaian megnőtt.
A Toshiba memória vállalat bejelenti 96-rétegű nand bics qlc chipeit
A Toshiba Memory Corporation, a flash technológián alapuló memóriamegoldások gyártásának világvezetője bejelentette egy minta fejlesztését. A Toshiba bejelentette a 96-rétegű NAND BiCS QLC chip prototípusminta fejlesztését, az új technológia minden részletét .
A Toshiba memória vállalat megnyitja új, 96 rétegű 3D flash memória gyárát
A Toshiba Memory Corporation és a Western Digital Corporation új, korszerű félvezető gyártóüzem megnyitását ünnepelte.A Toshiba Memory Japánban található új Fab 6 segítségével növeli 96-rétegű 3D memória gyártási kapacitását.
