A Toshiba xl-technológiájával kiáll az optán mellett

A Toshiba a Flash memória csúcstalálkozón bejelentette, hogy fejleszti a 3D XL-Flash technológiát, elsősorban az alacsony késleltetésű 3D NAND memóriák létrehozására összpontosítva, amelyek képesek versenyezni a feltörekvő Optane és 3D XPoint memória technológiákkal. A Toshiba szerint az alacsony késleltetésű NAND memória új megközelítése a késleltetési értékeket a jelenlegi NAND TLC fogyasztói ár mindössze 1/10-re csökkentheti.

Az XL-Flash technológia a 3D-NAND memória késleltetésének javítását ígéri

A frissített NAND architektúra az XL-Flash használatával egyenértékű lehet azzal, amit a Samsung tesz a Z-NAND technológiájával, ami csökkentheti a gyártási költségeket az Optane-hoz képest. A Toshiba a BiCS flash technológiáját fogja használni, de az XL-Flash legalább kezdetben az SLC implementációkban kerül alkalmazásra a teljesítmény javítása érdekében (7 mikrosekundum válaszidő és 30 mikrosekundum QLC). Ez természetesen csökkenti a tárolási sűrűséget, de ne felejtsük el, hogy a cél Optane-szerű teljesítmény és egyenlő vagy jobb sűrűség alacsonyabb áron történő nyújtása.

A Toshiba a teljesítmény fokozása érdekében tett lépései között szerepel a bitvonalak és a szósorok rövidítése, a cellák közötti belső kapcsolatok vagy a cellák közötti rövidebb utak, ami alacsonyabb késleltetési időt és jobb teljesítményt jelent. Emellett a párhuzamosság és a teljesítmény javult azáltal, hogy további flash síkokat, független régiókat adtak hozzá, amelyek egyszerre tudnak válaszolni az adatkérésekre.

Az XL-Flash-et várhatóan gyorsítótárként fogják használni nagy sűrűségű QLC-meghajtókban, valamint különálló termékekben, amelyek célja az Intel Optane memória által kínált célok visszaszorítása.

A Toshiba ambiciózusnak tűnik az XL-Flash kezdeményezés kapcsán, és a világ egyik legnagyobb memóriagyártójának kell lennie.

Techpowerup betűtípus