3d nand-emlékek: a kínai gyártás 2017-ben kezdődik
Tartalomjegyzék:
A Yangtze River Storage Technology (YRST) vállalat lesz az első, aki Kínában gyártja az új 3D NAND memóriát. Az első 3D NAND memória ostya gyártása 2017-ben kezdődik, és reméljük, hogy ilyen típusú 32 szintű memóriát állít elő.
300 000 3D NAND memória ostyát készítenek
A 3D NAND- k képesek több réteg memóriát tartalmazni ugyanazon a szilikonon belül, így nagyobb kapacitású SSD meghajtók érhetők el ugyanabban a térben. Az olyan vállalatok, mint az Intel-Micron vagy az A-DATA, már rendelkeznek ilyen típusú memóriával a piacon. Ez lenne az első alkalom, amikor egy kínai gyártó elkezdi a NAND Flash és DRAM memóriák gyártását.
Az YRST társaság teljes beruházása 24 000 millió dollár a gyár befejezéséhez, és a tervek szerint a létesítményeket 2018-ban kibővítik, és a bővítés utolsó szakaszát 2019-ben tervezik. Ezt nemcsak maga az YRST, hanem egy maga a kínai kormány beruházása és szövetség a vezető félvezető céggel, az XMC-vel. A források azt is jelzik, hogy a Tsinghua Unigroup támogatást élvez a Micron együttműködésével, tehát kevés ember vesz részt ebben az üzletben.
Az YRST várhatóan körülbelül 300 000 ostyát fog előállítani havonta, amely fedezi az SSD-kben és okostelefonokban használt NAND-memóriák iránti növekvő igényt. A hír fontos, mivel középtávon elősegítené az ilyen típusú egységek költségeinek csökkentését. Még egy lépés ahhoz, hogy visszavonjuk a merevlemezeket, amelyek évtizedek óta vannak velünk.
A Messenger és a Skype áprilisban kezdődik az áttérés
Már tudtuk, hogy a Messenger a Skype-re vándorol, amire nem tudtunk. Van egy időpontunk: április 8. Attól a pillanattól kezdve a
A Qualcomm a snapdragon 845 teszteléssel kezdődik
A Qualcomm megkezdi a tesztelést a Snapdragon 845-rel. A vállalat már dolgozik a processzor új, 2018-as verzióján.
A gyártók már tervezik a 3D gyártás 120/128 rétegű nandját
A chipkészítők fokozta a megfelelő 120 és 128 rétegű 3D NAND fejlesztését a versenyképesség fokozása érdekében.