A Samsung 2022-re tervezi a 3 nm-en lévő finfet technológiát

A Samsung Foundry Forum 2018 esemény során a dél-koreai óriás új fejlesztések sorozatát mutatta be technológiai technológiájában, amelyek célja a nagy teljesítményű számítástechnika és a csatlakoztatott eszközök. A társaság 3 nm-en feladja a FinFET technológiát.

A Samsung kicseréli a FinFET-t egy új, 3 nm-es tranzisztorra, minden részlettel

A Samsu ng új ütemterve arra összpontosít, hogy az ügyfelek energiahatékonyabb rendszereket biztosítsanak az iparágak széles skáláját célzó eszközök számára. Charlie Bae, az öntödei ügyvezető alelnöke és értékesítési és marketing igazgatója szerint "Az okosabb, összekapcsoltabb világ felé mutató tendencia az ipar igényesebbé teszi a szilícium szállítóit."

Azt javasoljuk, hogy olvassa el a Samsung- on írt üzenetét, amely javítja a mesterséges intelligencia képességeit a Bixby 2.0 használatával a Galaxy Note 9-en

A Samsung következő folyamattechnológiája az EUV litográfián alapuló Low Power Plus 7nm, amely a tömegtermelési szakaszba lép az év második felében és 2019 első felében terjeszkedik. A következő lépés az alacsony folyamat. Teljesítmény korai 5nm, amely növeli a 7nm energiahatékonyságát egy új szintre. Ezek a folyamatok továbbra is a FinFET technológián alapulnak, csakúgy, mint a következő 4 nm-en.

A FinFET technológiát el kell hagyni a 3nm-es kapu-mindent körülvevő korai / plusz folyamat felé történő átálláskor, amely egy újabb típusú tranzisztoron alapul, amely lehetővé teszi a FinFET-rel kapcsolatos fizikai méretezési problémák megoldását. Még jó néhány év telik el, mielőtt ez a gyártási folyamat eléri a 7 nm-t, az első becslések 2022-es évre mutatnak, bár a legtöbb normális dolog az, hogy vannak bizonyos késések.

Közelebb kerülünk az 1 nm-re becsült szilícium határhoz, ami megnehezíti az új gyártási folyamatokkal való előrehaladást, és a rések egyre kisebbek lesznek.

Techspot betűtípus